Ifølge nylige rapporter fra sydkoreanske medier har Korea Photonics Technology Institute (KOPTI) annonceret den succesfulde udvikling af effektiv og fin Micro LED-teknologi.Den interne kvanteeffektivitet af Micro LED kan opretholdes inden for et område på 90 %, uanset chipstørrelsen eller forskellige indsprøjtningsstrømtætheder.

20μm Micro LED strømspændingskurve og emissionsbillede (billedkredit: KOPTI)

Denne Micro LED-teknologi er udviklet i fællesskab af Dr. Jong hyup Baeks team fra Optical Semiconductor Display Department, ZOGAN Semi-teamet ledet af Dr. Woong ryeol Ryu og professor Jong in Shim fra Institut for Nano-Optoelektronik ved Hanyang University.Produktet adresserer spørgsmålet om hurtigt faldende lysemissionseffektivitet i Micro LED'er på grund af krympende chipstørrelser og øgede injektionsstrømme.

Det har vist sig, at mikro-LED'er under 20 μm i størrelse ikke kun oplever et hurtigt fald i lysemissionseffektivitet, men også udviser betydelige ikke-strålende rekombinationstab inden for det lave strømområde (0,01A/cm² til 1A/cm²), der kræves til at drive displaypaneler .I øjeblikket afbøder industrien delvist dette problem gennem passiveringsprocesser på chippens side, men det løser ikke grundlæggende problemet.

Den interne kvanteeffektivitet (IQE) af den 20μm og 10μm blå Micro LED varierer afhængigt af strømtætheden

KOPTI forklarer, at forskerholdet har reduceret belastningen i det epitaksiale lag og forbedret lysemissionseffektiviteten ved at implementere en ny struktur.Denne nye struktur undertrykker de fysiske stressvariationer af Micro LED under ethvert eksternt elektrisk felt eller struktur.Som et resultat, selv med en mindre Micro LED-størrelse, reducerer den nye struktur markant overfladens ikke-strålende rekombinationstab, samtidig med at den høje lysemissionseffektivitet opretholdes uden behov for passiveringsprocesser.

Holdet har med succes valideret anvendelsen af ​​effektiv og fin Micro LED-teknologi i blå, galliumnitridgrøn og røde enheder.I fremtiden har denne teknologi potentialet til at producere fuldfarve galliumnitrid Micro LED-skærme.