दक्षिण कोरियाई मीडिया की हालिया रिपोर्टों के अनुसार, कोरिया फोटोनिक्स टेक्नोलॉजी इंस्टीट्यूट (KOPTI) ने कुशल और बेहतरीन माइक्रो एलईडी तकनीक के सफल विकास की घोषणा की है। माइक्रो एलईडी की आंतरिक क्वांटम दक्षता को चिप के आकार या विभिन्न इंजेक्शन करंट घनत्वों की परवाह किए बिना 90% की सीमा के भीतर बनाए रखा जा सकता है।

20μm माइक्रो एलईडी करंट-वोल्टेज वक्र और उत्सर्जन छवि (छवि श्रेय: KOPTI)

इस माइक्रो एलईडी तकनीक को ऑप्टिकल सेमीकंडक्टर डिस्प्ले विभाग के डॉ. जोंग ह्युप बेक की टीम, डॉ. वूंग रयोल रयू के नेतृत्व वाली ज़ोगन सेमी टीम और हानयांग विश्वविद्यालय के नैनो-ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स विभाग के प्रोफेसर जोंग इन शिम द्वारा संयुक्त रूप से विकसित किया गया था। यह उत्पाद चिप के आकार में कमी और इंजेक्शन धाराओं में वृद्धि के कारण माइक्रो एलईडी में तेजी से घटती प्रकाश उत्सर्जन दक्षता के मुद्दे को संबोधित करता है।

यह पाया गया है कि 20μm से कम आकार वाले माइक्रो एलईडी न केवल प्रकाश उत्सर्जन दक्षता में तेजी से कमी का अनुभव करते हैं, बल्कि डिस्प्ले पैनल को चलाने के लिए आवश्यक कम वर्तमान सीमा (0.01A/cm² से 1A/cm²) के भीतर महत्वपूर्ण गैर-विकिरण पुनर्संयोजन नुकसान भी प्रदर्शित करते हैं। वर्तमान में, उद्योग चिप की ओर से निष्क्रियता प्रक्रियाओं के माध्यम से इस मुद्दे को आंशिक रूप से कम करता है, लेकिन यह मूल रूप से समस्या का समाधान नहीं करता है।

20μm और 10μm नीले माइक्रो एलईडी की आंतरिक क्वांटम दक्षता (IQE) वर्तमान घनत्व के अनुसार बदलती रहती है

KOPTI बताते हैं कि शोध दल ने एक नई संरचना को लागू करके एपिटैक्सियल परत में तनाव को कम किया है और प्रकाश उत्सर्जन दक्षता में सुधार किया है। यह नई संरचना किसी भी बाहरी विद्युत क्षेत्र या संरचना के तहत माइक्रो एलईडी के भौतिक तनाव भिन्नताओं को दबा देती है। नतीजतन, एक छोटे माइक्रो एलईडी आकार के साथ भी, नई संरचना निष्क्रियता प्रक्रियाओं की आवश्यकता के बिना उच्च प्रकाश उत्सर्जन दक्षता को बनाए रखते हुए सतह गैर-विकिरण पुनर्संयोजन नुकसान को काफी कम करती है।

टीम ने नीले, गैलियम नाइट्राइड हरे और लाल उपकरणों में कुशल और बढ़िया माइक्रो एलईडी तकनीक के अनुप्रयोग को सफलतापूर्वक मान्य किया है। भविष्य में, यह तकनीक पूर्ण-रंगीन गैलियम नाइट्राइड माइक्रो एलईडी डिस्प्ले बनाने की क्षमता रखती है।