दक्षिण कोरियाई मीडिया की हालिया रिपोर्टों के अनुसार, कोरिया फोटोनिक्स टेक्नोलॉजी इंस्टीट्यूट (KOPTI) ने कुशल और बढ़िया माइक्रो एलईडी तकनीक के सफल विकास की घोषणा की है।माइक्रो एलईडी की आंतरिक क्वांटम दक्षता को चिप आकार या विभिन्न इंजेक्शन वर्तमान घनत्व की परवाह किए बिना 90% की सीमा के भीतर बनाए रखा जा सकता है।

20μm माइक्रो एलईडी वर्तमान-वोल्टेज वक्र और उत्सर्जन छवि (छवि क्रेडिट: KOPTI)

इस माइक्रो एलईडी तकनीक को ऑप्टिकल सेमीकंडक्टर डिस्प्ले विभाग के डॉ. जोंग ह्युप बाक की टीम, डॉ. वूंग रयोल रयू के नेतृत्व वाली ज़ोगन सेमी टीम और हन्यांग विश्वविद्यालय के नैनो-ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स विभाग के प्रोफेसर जोंग इन शिम द्वारा संयुक्त रूप से विकसित किया गया था।उत्पाद सिकुड़ते चिप आकार और बढ़े हुए इंजेक्शन करंट के कारण माइक्रो एलईडी में तेजी से घटती प्रकाश उत्सर्जन दक्षता की समस्या का समाधान करता है।

यह पाया गया है कि 20μm से कम आकार के माइक्रो एलईडी न केवल प्रकाश उत्सर्जन दक्षता में तेजी से कमी का अनुभव करते हैं, बल्कि डिस्प्ले पैनल चलाने के लिए आवश्यक कम वर्तमान सीमा (0.01A/cm² से 1A/cm²) के भीतर महत्वपूर्ण गैर-विकिरण संबंधी पुनर्संयोजन हानि भी प्रदर्शित करते हैं। .वर्तमान में, उद्योग चिप की ओर से निष्क्रियता प्रक्रियाओं के माध्यम से इस समस्या को आंशिक रूप से कम करता है, लेकिन यह मूल रूप से समस्या का समाधान नहीं करता है।

20μm और 10μm नीली माइक्रो एलईडी की आंतरिक क्वांटम दक्षता (IQE) वर्तमान घनत्व के अनुसार भिन्न होती है

केओपीटीआई बताते हैं कि अनुसंधान टीम ने एपिटैक्सियल परत में तनाव को कम किया है और एक नई संरचना को लागू करके प्रकाश उत्सर्जन दक्षता में सुधार किया है।यह नई संरचना किसी भी बाहरी विद्युत क्षेत्र या संरचना के तहत माइक्रो एलईडी के भौतिक तनाव भिन्नता को दबा देती है।परिणामस्वरूप, छोटे माइक्रो एलईडी आकार के साथ भी, नई संरचना निष्क्रियता प्रक्रियाओं की आवश्यकता के बिना उच्च प्रकाश उत्सर्जन दक्षता बनाए रखते हुए सतह के गैर-विकिरण संबंधी पुनर्संयोजन नुकसान को काफी कम कर देती है।

टीम ने नीले, गैलियम नाइट्राइड हरे और लाल उपकरणों में कुशल और बढ़िया माइक्रो एलईडी तकनीक के अनुप्रयोग को सफलतापूर्वक मान्य किया है।भविष्य में, यह तकनीक पूर्ण-रंगीन गैलियम नाइट्राइड माइक्रो एलईडी डिस्प्ले का उत्पादन करने की क्षमता रखती है।