Согласно недавним сообщениям южнокорейских СМИ, Корейский институт фотоники (KOPTI) объявил об успешной разработке эффективной и качественной технологии Micro LED.Внутреннюю квантовую эффективность микросветодиода можно поддерживать в пределах 90% независимо от размера чипа или различной плотности инжекционного тока.

Кривая тока-напряжение микросветодиода 20 мкм и изображение излучения (изображение предоставлено KOPTI)

Эта технология Micro LED была совместно разработана командой доктора Чон Хюп Пэка из отдела оптических полупроводниковых дисплеев, командой ZOGAN Semi под руководством доктора Ун Рёль Рю и профессором Чон Ин Шим из факультета нанооптоэлектроники Университета Ханьян.Продукт решает проблему быстрого снижения эффективности излучения света в микросветодиодах из-за уменьшения размеров чипов и увеличения токов инжекции.

Было обнаружено, что микросветодиоды размером менее 20 мкм не только испытывают быстрое снижение эффективности излучения света, но также демонстрируют значительные потери безызлучательной рекомбинации в диапазоне низких токов (от 0,01 А/см² до 1 А/см²), необходимых для управления панелями дисплея. .В настоящее время отрасль частично смягчает эту проблему за счет процессов пассивации на стороне чипа, но кардинально проблему это не решает.

Внутренняя квантовая эффективность (IQE) синих микросветодиодов размером 20 и 10 мкм варьируется в зависимости от плотности тока.

В KOPTI поясняют, что исследовательская группа снизила напряжение в эпитаксиальном слое и улучшила эффективность излучения света, внедрив новую структуру.Эта новая структура подавляет изменения физического напряжения микросветодиода под воздействием любого внешнего электрического поля или структуры.В результате, даже при меньшем размере микросветодиода, новая структура значительно снижает потери на поверхностную безызлучательную рекомбинацию, сохраняя при этом высокую эффективность излучения света без необходимости процессов пассивации.

Команда успешно проверила применение эффективной и качественной технологии Micro LED в синих, зеленых и красных устройствах из нитрида галлия.В будущем эта технология имеет потенциал для производства полноцветных дисплеев Micro LED на основе нитрида галлия.