Согласно последним сообщениям южнокорейских СМИ, Корейский институт фотонных технологий (KOPTI) объявил об успешной разработке эффективной и тонкой технологии микросветодиодов. Внутренняя квантовая эффективность микросветодиодов может поддерживаться в диапазоне 90%, независимо от размера чипа или различных плотностей тока инжекции.

График зависимости тока от напряжения и излучения микросветодиодов 20 мкм и изображение излучения (изображение предоставлено: KOPTI)

Эта технология микросветодиодов была совместно разработана командой доктора Чон Хёп Бэка из отдела оптических полупроводниковых дисплеев, командой ZOGAN Semi под руководством доктора Вунг Рёль Рю и профессором Чон Ин Шимом из отдела нано-оптоэлектроники в Университете Ханьян. Продукт решает проблему быстрого снижения эффективности излучения света в микросветодиодах из-за уменьшения размеров кристаллов и увеличения инжекционных токов.

Было обнаружено, что микросветодиоды размером менее 20 мкм не только испытывают быстрое снижение эффективности излучения света, но и демонстрируют значительные потери безызлучательной рекомбинации в диапазоне низких токов (от 0,01 А/см² до 1 А/см²), необходимых для управления панелями отображения. В настоящее время отрасль частично смягчает эту проблему с помощью процессов пассивации на стороне чипа, но это не решает проблему кардинально.

Внутренняя квантовая эффективность (IQE) синего микросветодиода 20 мкм и 10 мкм зависит от плотности тока.

KOPTI объясняет, что исследовательская группа уменьшила напряжение в эпитаксиальном слое и улучшила эффективность излучения света, внедрив новую структуру. Эта новая структура подавляет изменения физического напряжения микросветодиода под действием любого внешнего электрического поля или структуры. В результате, даже при меньшем размере микросветодиода, новая структура значительно снижает потери на поверхностную безызлучательную рекомбинацию, сохраняя при этом высокую эффективность излучения света без необходимости в процессах пассивации.

Команда успешно проверила применение эффективной и тонкой технологии Micro LED в синих, зеленых и красных устройствах на основе нитрида галлия. В будущем эта технология может позволить производить полноцветные дисплеи Micro LED на основе нитрида галлия.