Glede na nedavna poročila južnokorejskih medijev je Korea Photonics Technology Institute (KOPTI) napovedal uspešen razvoj učinkovite in fine Micro LED tehnologije. Notranji kvantni izkoristek mikro LED se lahko vzdržuje v območju 90 %, ne glede na velikost čipa ali različne gostote toka vbrizgavanja.

20 μm mikro LED tokovna napetost in slika emisij (avtorstvo slike: KOPTI)

To mikro LED tehnologijo so skupaj razvili ekipa dr. Jong hyupa Baeka iz oddelka za optični polprevodniški zaslon, ekipa ZOGAN Semi, ki jo vodi dr. Woong ryeol Ryu, in profesor Jong in Shim z oddelka za nano-optoelektroniko na univerzi Hanyang. Izdelek obravnava vprašanje hitrega zmanjševanja učinkovitosti svetlobnega oddajanja v mikro LED diodah zaradi manjšanja velikosti čipov in povečanih tokov vbrizgavanja.

Ugotovljeno je bilo, da se mikro LED z velikostjo pod 20 μm ne le hitro zmanjšajo v učinkovitosti svetlobnega oddajanja, temveč kažejo tudi znatne izgube zaradi rekombinacije brez sevanja v območju nizkega toka (0,01 A/cm² do 1 A/cm²), potrebnega za pogon zaslonskih plošč. Trenutno industrija to težavo delno blaži s procesi pasivizacije na strani čipa, vendar problema v osnovi ne reši.

Notranja kvantna učinkovitost (IQE) 20 μm in 10 μm modre mikro LED se spreminja glede na gostoto toka

KOPTI pojasnjuje, da je raziskovalna skupina z uvedbo nove strukture zmanjšala napetost v epitaksialni plasti in izboljšala učinkovitost oddajanja svetlobe. Ta nova struktura zavira variacije fizičnega stresa mikro LED pod katerim koli zunanjim električnim poljem ali strukturo. Posledično tudi z manjšo velikostjo mikro LED nova struktura znatno zmanjša površinske izgube zaradi brezsevalne rekombinacije, hkrati pa ohranja visoko učinkovitost svetlobnega oddajanja brez potrebe po postopkih pasivizacije.

Ekipa je uspešno potrdila uporabo učinkovite in fine tehnologije mikro LED v modrih, zelenih in rdečih napravah z galijevim nitridom. V prihodnosti ima ta tehnologija potencial za proizvodnjo barvnih zaslonov Micro LED iz galijevega nitrida.