Према недавним извештајима јужнокорејских медија, Корејски институт за фотонику (КОПТИ) објавио је успешан развој ефикасне и фине Мицро ЛЕД технологије.Унутрашња квантна ефикасност Мицро ЛЕД-а може се одржавати у опсегу од 90%, без обзира на величину чипа или различите густине струје убризгавања.

20μм Мицро ЛЕД кривуља струје и напона и слика емисије (заслуга слике: КОПТИ)

Ову Мицро ЛЕД технологију су заједнички развили тим др Јонг хиуп Баека са одељења за оптичке полупроводничке дисплеје, тим ЗОГАН Семи који предводи др Воонг риеол Риу и професор Јонг ин Схим са Одељења за нано-оптоелектронику на Универзитету Ханианг.Производ се бави питањем брзог смањења ефикасности емитовања светлости у Мицро ЛЕД диодама због смањења величине чипа и повећане струје убризгавања.

Утврђено је да микро ЛЕД диоде величине испод 20 μм не само да доживљавају брзо смањење ефикасности емисије светлости, већ такође показују значајне губитке рекомбинације без зрачења унутар ниског струјног опсега (0,01А/цм² до 1А/цм²) потребног за покретање дисплеја .Тренутно, индустрија делимично ублажава овај проблем кроз процесе пасивизације на страни чипа, али то суштински не решава проблем.

Унутрашња квантна ефикасност (ИКЕ) плаве Мицро ЛЕД од 20 μм и 10 μм варира у зависности од густине струје

КОПТИ објашњава да је истраживачки тим смањио напрезање у епитаксијалном слоју и побољшао ефикасност емисије светлости имплементацијом нове структуре.Ова нова структура потискује варијације физичког напрезања Мицро ЛЕД под било којим спољашњим електричним пољем или структуром.Као резултат, чак и са мањом величином Мицро ЛЕД-а, нова структура значајно смањује површинске губитке рекомбинације без зрачења уз одржавање високе ефикасности емисије светлости без потребе за процесима пасивације.

Тим је успешно потврдио примену ефикасне и фине Мицро ЛЕД технологије у плавим, галијум нитрид зеленим и црвеним уређајима.У будућности, ова технологија има потенцијал за производњу микро ЛЕД екрана од галијум нитрида у пуној боји.