Güney Kore medyasından gelen son haberlere göre, Kore Fotonik Teknoloji Enstitüsü (KOPTI), verimli ve ince Mikro LED teknolojisinin başarılı bir şekilde geliştirildiğini duyurdu. Mikro LED'in dahili kuantum verimliliği, çip boyutundan veya farklı enjeksiyon akımı yoğunluklarından bağımsız olarak %90 aralığında tutulabilir.

20μm Mikro LED akım-gerilim eğrisi ve emisyon görüntüsü (görüntü kaynağı: KOPTI)

Bu Mikro LED teknolojisi, Optik Yarı İletken Ekran Bölümü'nden Dr. Jong hyup Baek'in ekibi, Dr. Woong ryeol Ryu liderliğindeki ZOGAN Semi ekibi ve Hanyang Üniversitesi Nano-Optoelektronik Bölümü'nden Profesör Jong in Shim tarafından ortaklaşa geliştirildi. Ürün, küçülen çip boyutları ve artan enjeksiyon akımları nedeniyle Mikro LED'lerde ışık emisyon verimliliğinin hızla azalması sorununu ele alıyor.

20μm'nin altındaki Mikro LED'lerin yalnızca ışık emisyon verimliliğinde hızlı bir düşüş yaşamadığı, aynı zamanda ekran panellerini sürmek için gereken düşük akım aralığında (0,01A/cm² ila 1A/cm²) önemli radyasyon dışı rekombinasyon kayıpları sergilediği bulunmuştur. Şu anda, endüstri bu sorunu çip tarafında pasifleştirme süreçleriyle kısmen hafifletiyor, ancak bu sorunu temelde çözmüyor.

20μm ve 10μm mavi Mikro LED'in dahili kuantum verimliliği (IQE), akım yoğunluğuna göre değişir

KOPTI, araştırma ekibinin epitaksiyel tabakadaki gerilimi azalttığını ve yeni bir yapı uygulayarak ışık emisyon verimliliğini iyileştirdiğini açıklıyor. Bu yeni yapı, herhangi bir harici elektrik alanı veya yapı altında Mikro LED'in fiziksel stres değişimlerini bastırıyor. Sonuç olarak, daha küçük bir Mikro LED boyutuyla bile, yeni yapı, pasifleştirme işlemlerine gerek kalmadan yüksek ışık emisyon verimliliğini korurken yüzey radyasyonsuz rekombinasyon kayıplarını önemli ölçüde azaltıyor.

Ekip, verimli ve ince Mikro LED teknolojisinin mavi, galyum nitrür yeşil ve kırmızı cihazlarda uygulanmasını başarıyla doğruladı. Gelecekte, bu teknoloji tam renkli galyum nitrür Mikro LED ekranlar üretme potansiyeline sahiptir.