Theo báo cáo gần đây từ truyền thông Hàn Quốc, Viện Công nghệ Quang tử Hàn Quốc (KOPTI) đã công bố phát triển thành công công nghệ Micro LED hiệu quả và tốt.Hiệu suất lượng tử bên trong của Micro LED có thể được duy trì trong phạm vi 90%, bất kể kích thước chip hay mật độ dòng phun khác nhau.

Hình ảnh phát xạ và đường cong dòng điện-điện áp Micro LED 20μm (tín dụng hình ảnh: KOPTI)

Công nghệ Micro LED này được phát triển bởi nhóm của Tiến sĩ Jong hyup Baek từ Khoa Hiển thị Chất bán dẫn Quang học, nhóm ZOGAN Semi do Tiến sĩ Woong ryeol Ryu dẫn đầu và Giáo sư Jong in Shim từ Khoa Quang điện tử Nano tại Đại học Hanyang.Sản phẩm giải quyết vấn đề hiệu suất phát xạ ánh sáng giảm nhanh trong Micro LED do kích thước chip thu nhỏ và dòng phun tăng.

Người ta nhận thấy rằng Micro LED có kích thước dưới 20μm không chỉ có hiệu suất phát xạ ánh sáng giảm nhanh chóng mà còn thể hiện tổn thất tái hợp không bức xạ đáng kể trong phạm vi dòng điện thấp (0,01A/cm2 đến 1A/cm2) cần thiết cho bảng hiển thị lái xe. .Hiện tại, ngành công nghiệp đã giảm thiểu một phần vấn đề này thông qua các quy trình thụ động ở phía chip, nhưng về cơ bản nó không giải quyết được vấn đề.

Hiệu suất lượng tử bên trong (IQE) của Micro LED xanh lam 20μm và 10μm thay đổi tùy theo mật độ dòng điện

KOPTI giải thích rằng nhóm nghiên cứu đã giảm sức căng ở lớp epitaxy và cải thiện hiệu suất phát xạ ánh sáng bằng cách triển khai một cấu trúc mới.Cấu trúc mới này ngăn chặn các biến thể ứng suất vật lý của Micro LED dưới bất kỳ cấu trúc hoặc điện trường bên ngoài nào.Kết quả là, ngay cả với kích thước Micro LED nhỏ hơn, cấu trúc mới vẫn giảm đáng kể tổn thất tái hợp không bức xạ trên bề mặt trong khi vẫn duy trì hiệu suất phát xạ ánh sáng cao mà không cần đến quá trình thụ động hóa.

Nhóm đã xác nhận thành công ứng dụng công nghệ Micro LED hiệu quả và tốt trong các thiết bị màu xanh lam, xanh lá cây gallium nitride và màu đỏ.Trong tương lai, công nghệ này có tiềm năng sản xuất màn hình Micro LED gallium nitride đủ màu.